55 ผลลัพธ์สำหรับ

"flat bottom test tubes"

ขนาดที่กําหนดเอง UV กระจกกระจกควอตซ์ทนอุณหภูมิสูงโปร่งใส สําหรับอุปกรณ์ครึ่งนํา

Hot Sale UV High Transmittance Anti-Corrosion Clear Flat Quartz Glass Plate Product Characteristics Brand shengfanquartz SIO2 99.99% Density 2.2 (g/cm³) Degree of hardness moh' scale 6.6 Melting point 1732℃ Working temperature 1100℃ Annealing point 1180℃ Softening point 1630℃ Specification ...

แผ่นกระจกควอตซ์ซิลิกาหลอมเหลวทนอุณหภูมิสูงพร้อมการส่งผ่านแสงสูง

โรงงานตรง 1150 °C แผ่นแก้วควอตซ์ทนความร้อนที่มี> 92% การกระจายแสงและขนาดที่กําหนดเอง 0.5-100 มม

แผ่นควอตซ์ขัดเงาโดยตรงจากโรงงานที่มีความบริสุทธิ์ SiO2 99.99% อุณหภูมิในการทำงาน 1150°C การส่งผ่านแสง >92% และความหนา 0.5-100 มม. ขนาดที่กำหนดเองพร้อมมาตรฐาน JGS เหมาะสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ ออปติก และงานอุตสาหกรรมที่ต้องการทนความร้อนและความทนทานสูง

ทนต่ออุณหภูมิสูง 1200°C ใส 99.99% ความบริสุทธิ์ แผ่นแก้วควอตซ์ แผ่นแก้วซิลิก้าหลอม

แผ่นควอตซ์ทนอุณหภูมิสูง อุณหภูมิการทำงาน 1150°C, การส่งผ่านแสง >92% และความบริสุทธิ์ SiO2 99.99% มีจำหน่ายที่ความหนา 0.5-100 มม. พร้อมตัวเลือกการผลิตแบบกำหนดเองสำหรับการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ ห้องปฏิบัติการ และเตาเผา

แผ่นกระจกควอตซ์บริสุทธิ์สูง 99.99% เกรดสั่งทำพิเศษ ทนอุณหภูมิสูง พร้อมการส่งผ่านแสงสูงสำหรับเซมิคอนดักเตอร์และออปติก

โรงงานที่กำหนดเองมีความบริสุทธิ์สูงแผ่นควอตซ์โปร่งใส 99.99% พร้อมการส่งผ่านแสง > 92% มาตรฐาน JGS1/JGS2 อุณหภูมิในการทำงานสูงถึง 1150 ℃ มีความหนา 0.5-100 มม. ตัวเลือกการผลิตแบบกำหนดเองสำหรับการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์และออปติคอลที่มีความต้านทานการกัดกร่อนสูงและฉนวนไฟฟ้า

ผนังแก้วควอตซ์ 1200C ที่ทนความร้อน มีการกระจายแสง > 92% และความบริสุทธิ์ SiO2 99.99% สําหรับเตาพลังแสงอาทิตย์

แผ่นแก้วควอทซ์ทนความร้อนที่มีอุณหภูมิในการทำงาน 1150°C, การส่องผ่านแสง >92% และความบริสุทธิ์ของ SiO2 99.99% มีความหนา 0.5-100 มม. มาตรฐาน JGS1/JGS2/JGS3 ตัวเลือกการผลิตแบบกำหนดเองสำหรับเตาพลังงานแสงอาทิตย์ ห้องปฏิบัติการ และการใช้งานทางอุตสาหกรรม

ความบริสุทธิ์สูงตามสั่ง 99.99% SiO2 Quartz Glass Plate ทนต่อความร้อน 1150 °C ด้วยความผ่านแสงสูง > 92% สําหรับครึ่งประสาทห้องปฏิบัติการ

แผ่นแก้วควอทซ์ทรงกลมแบบกำหนดเองที่มีความบริสุทธิ์ SiO2 99.99% ค่าการส่งผ่านแสง >92% และอุณหภูมิในการทำงาน 1150°C มีจำหน่ายในเส้นผ่านศูนย์กลาง 1-800 มม. ความหนา 0.2-100 มม. ทนความร้อน ป้องกันการกัดกร่อน และปรับแต่งได้สำหรับการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ ห้องปฏิบัติการ และอุตสาหกรรม

หน้า 5 of 5